Samsung объявляет о 4-м поколении 64-слойной V-NAND флеш-памяти и новых SSD объемом до 32 ТБ

4-е поколение технологии Samsung V-NAND содержит на 30% больше слоёв ячеек в сравнении с предшественником

Samsung представила четвёртое поколение 64-слойной V-NAND флеш-памяти с тройным уровнем ячеек. Благодаря 64 слоям ячеек новый V-NAND может увеличить ёмкость одной матрицы до наиболее выдающихся в индустрии 512 ГБ, а скорость ввода-вывода данных – до 800 Мб/с. Это дно укрепить лидирующие позиции технологий Samsung в трёхмерном проектировании структуры и производстве NAND ячеек. Напомню, что многослойные V-NAND устройства выпускаются с августа 2013 года, первое поколение имело 24 слоя, второе 32 и 48-слойная технология вертикального размещения ячеек была использована в третьем поколении.

Samsung планирует представить первые в мире устройства 4-ого поколения V-NAND флеш-памяти уже в четвёртом квартале этого года.

Самый ёмкий SAS SSD на 32 ТБ для корпоративных систем хранения данных

Новый твердотельный накопитель Serial Attached SCSI (SAS) SSD от Samsung является наиболее ёмким накопителем в мире, созданным с использованием 512-гигабитных (Гб) V-NAND чипов. В общей сложности 512 V-NAND чипов размещены в 16 слоёв для формирования блоков ёмкостью 1 терабайт (ТБ). 32-терабайтный (ТБ) твердотельный накопитель содержит 32 таких блока.

Благодаря конструкции 4-го поколения V-NAND твердотельный накопитель SAS SSD ёмкостью 32 ТБ может снизить требования к пространству до 40 раз в сравнении с системой аналогичного типа с применением двух жёстких дисков (HDD). Накопитель SAS SSD 32 ТБ будет создан в 2,5-дюймовом форм-факторе, а его выпуск состоится в 2017 году. Samsung также предполагает, что благодаря последовательному улучшению технологии V-NAND твердотельные накопители ёмкостью более 100 ТБ будут доступны к 2020 году.

1 ТБ памяти в едином корпусе BGA

Компания также объявила о выпуске твердотельного накопителя BGA емкостью 1 ТБ, который содержит все необходимые SSD компоненты. К ним относится V-NAND флеш-чипы с тройным уровнем расположения ячеек, мобильная LPDDR4 DRAM память, а также современный контроллер Samsung.

Всё это обеспечит невероятную производительность со скоростью последовательного чтения в 1,500 МБ/с и последовательной записи в 900 МБ/с. Уменьшение размера корпуса на 50% в сравнении с предшественником позволило также уменьшить и его массу. Накопитель весит около одного грамма, что делает его идеальным компаньоном для ультра-компактных ноутбуков, планшетов и устройств-трансформеров.

Накопитель BGA SSD емкостью 1 ТБ планируется представить уже в следующем году. Для его создания используются конструкции высокой плотности под названием "FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)", эту технологию Samsung Electronics разработала совместно с Samsung Electro-Mechanics.

Новый Z-SSD

Samsung также создала высокопроизводительное SSD решение с ультранизким уровнем задержки под названием Z-SSD. Оно использует фундаментальную структуру V-NAND, а также отличается уникальным дизайном схемы и контроллером, который может максимизировать производительность. Новинка демонстрирует четырёхкратное снижение задержек и увеличение скорости последовательного чтения в 1,6 раза в сравнении с твердотельным накопителем Samsung PM963 NVMe.

Z-SSD будет применяться в системах, которые сталкиваются с чрезвычайно интенсивным анализом в режиме реального времени и испытывают необходимость расширить высокую производительность для всех типов рабочих нагрузок. Ожидается, что устройство будет выпущено в следующем году.